典型的肖特基二極管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面構(gòu)成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極運(yùn)用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來消除邊際區(qū)域的電場，進(jìn)步管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊構(gòu)成N+陰極層，其作用是減小陰極的觸摸電阻。經(jīng)過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)N型基片和陽極金屬之間便構(gòu)成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩頭加上正向偏壓(陽極金屬接電源正 ，N型基片接電源負(fù)極)時(shí)，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小; 反之，若在肖特基勢壘兩頭加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的觸摸面上，用已構(gòu)成的肖特基來阻擋反向電壓。

  肖特基二極管與PN結(jié)的整流效果原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特點(diǎn)是：開關(guān)速度非?？欤悍聪蚧謴?fù)時(shí)間特別地短。因而，能制造開關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。

  肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，使用二者觸摸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著很多的電子，貴金屬中僅有極少量的 自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中分散。明顯，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的 分散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B分散到A，B表面電子濃度逐漸下降，表面電中性被損壞，于是就構(gòu)成勢壘，其電場 方向?yàn)锽→A。但在該電場效果之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于分散運(yùn)動(dòng)而構(gòu)成的 電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子分散運(yùn)動(dòng)到達(dá)相對(duì)平衡，便構(gòu)成了肖特基勢壘。

  典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如圖1所示。它是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面構(gòu)成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極（阻檔層）金屬材料是鉬。二氧化硅（SiO2）用來消除邊際區(qū)域的電場，進(jìn)步管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊構(gòu)成N+陰極層，其效果是減小陰極的觸摸電阻。經(jīng)過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，可在基片與陽極金屬之間構(gòu)成適宜的肖特基勢壘，當(dāng)加上正偏壓E時(shí)，金屬A和N型基片B分別接電源的正、負(fù)極，此時(shí)局壘寬度Wo變窄。加負(fù)偏壓-E時(shí)，勢壘寬度就添加。

     肖特基整流管的基本結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管， 而把金屬-半導(dǎo)管 整流管叫作肖特基整流管，選用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已面世，這不僅可節(jié)省貴金屬 ，大幅度下降成本，還改善了參數(shù)的一致性。

  肖特基二極管的功用側(cè)重體現(xiàn)是在雙極型晶體管BJT的開關(guān)電路里邊，經(jīng)過在BJT上連接Shockley二極管來箝位， 使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很挨近截止?fàn)顟B(tài)，從而進(jìn)步晶體管的開關(guān)速度。這種辦法是74LS，74ALS，74A S等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中運(yùn)用的技能。