肖特基二極管自從替代傳統(tǒng)的一般的二極管后受到了用戶的的喜愛(ài)和喜歡，可是有些時(shí)分也會(huì)有傻傻分不肖的時(shí)分，肖特基二極管和場(chǎng)效應(yīng)管有什么差異？

肖特基二極管是二級(jí)管，特性是功耗、快速、反向恢復(fù)時(shí)間十分短、順向壓力降小，適宜做整流電路；場(chǎng)效應(yīng)管是三極管，特性是輸入阻抗高、噪音小、功率低、泄露電流小，電源開(kāi)關(guān)特色好，適宜做放大電路或開(kāi)關(guān)電路。

二極管與三極管完全是2種類型，不能比較，但同屬電子元件類。

肖特基二極管和一般二級(jí)管或場(chǎng)效應(yīng)管的外型還是是多少有點(diǎn)兒相似的，客戶在應(yīng)用時(shí)分進(jìn)而疑惑都是免不了的

怎樣差異場(chǎng)效應(yīng)管和肖特基二極管

什么是場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱，應(yīng)為縮寫(xiě)為FET。場(chǎng)效應(yīng)管一般分為兩類：1）JFET和MOSFET。這兩類場(chǎng)效應(yīng)管都是壓控型的器材。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極，分別為：柵極G、漏極D和源極S。現(xiàn)在MOSFET應(yīng)用廣泛，JFET相對(duì)較少。MOSFET可以分為NMOS和PMOS，下圖是PMOS的結(jié)構(gòu)圖、NMOS和MOSFET的電路。 

PMOS的結(jié)構(gòu)是這樣的：在N型硅襯底上做了兩個(gè)P型半導(dǎo)體的P+區(qū)，這兩個(gè)區(qū)分別叫做源極S和漏極D，在N型半導(dǎo)體的絕緣層上引出柵極G。NMOS的實(shí)體圖和腳位遍布

什么是肖特基二極管

肖特基二極管又叫勢(shì)壘二極管，是由金屬和半導(dǎo)體接觸形成的二極管，其特色為：反向恢復(fù)時(shí)間十分短，為ns級(jí)別；正向?qū)▔航凳值停簽?.3-0.5V左右；漏電流較大、反向擊穿電壓比較低；一般用在低壓開(kāi)關(guān)電源中，以肖特基二極管MBR30100為例，其實(shí)物圖和結(jié)構(gòu)圖如下圖所示。

該肖特基二極管有三個(gè)電極，其間一個(gè)公共端是陰極，由兩個(gè)二極管共陰極構(gòu)成。

關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管的反向并接的二極管的問(wèn)題?

有些場(chǎng)效應(yīng)管的標(biāo)準(zhǔn)書(shū)里原理圖上標(biāo)有一個(gè)穩(wěn)壓管符號(hào)，為了搞清楚其間的真正狀況，咱們抽取了幾種有該二極管符號(hào)的樣品進(jìn)行檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)有以下兩種狀況：

1. 實(shí)際是本體的寄生二極管；2集成的肖特基二極管

前一種狀況，估計(jì)是做文件時(shí)直接將其他文件中的圖形復(fù)制過(guò)來(lái)所致。?關(guān)于該本體二級(jí)管的特性，在標(biāo)準(zhǔn)書(shū)中應(yīng)該有標(biāo)準(zhǔn)闡明的。但請(qǐng)大伙兒留心，是二級(jí)管而并不是穩(wěn)壓極管，不用被穩(wěn)壓極管的圖型搞暈了。

第二種狀況，留意，是肖特基二極管，圖中標(biāo)示的符號(hào)也不對(duì)。有些元件有這樣集成的狀況，且在其參數(shù)表中一定有相關(guān)方面的參數(shù)闡明，即：肖特基二極管的電壓電流參數(shù)，我們?cè)诒嬲J(rèn)元件時(shí)應(yīng)該留意相關(guān)的參數(shù)另外還有一種或許，那就是標(biāo)示的場(chǎng)效應(yīng)管擊穿區(qū)的穩(wěn)壓管特征。

當(dāng)然，作為出產(chǎn)廠商，他們對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的這種特性是不會(huì)做任何保障許諾的。所以標(biāo)準(zhǔn)書(shū)中一般沒(méi)有其特性的闡明和參數(shù)表。元件實(shí)際使用時(shí)也不能作業(yè)在該區(qū)域。

只是，針對(duì)不一樣出產(chǎn)商，元器材的耐受性作業(yè)能力是不一樣的，一些原件在超出擊穿場(chǎng)強(qiáng)后，十分簡(jiǎn)單就毀壞了，而一些元器材，可以 耐受性較高的熱擊穿電流量的沖擊性，而這，也在某些場(chǎng)所，決議計(jì)劃了元器材質(zhì)量在客戶心里的覺(jué)得。

表，而且，要留意和本體二極管參數(shù)的差異。假如無(wú)誤，則闡明確有并聯(lián)的二極管，否則是圖形過(guò)錯(cuò)。

指標(biāo)值不用超出其極限主要參數(shù)。