又稱晶體管、雙極晶體管、晶體管、半導(dǎo)體的基本元件之一，其中電流放大是電子電路的核心元件。接下來，樂晨將解釋晶體管的檢測方法。

　　1、中低功率三極管的檢測

　　A、具有已知模型和引腳的晶體管可用于根據(jù)以下方法來判斷它們的性能。

　　(a)、測量極點(diǎn)電阻。將萬用表放在R* 100或R*1K塊中，并根據(jù)六種不同的紅筆和黑筆進(jìn)行測試。其中，發(fā)射極結(jié)和集電極結(jié)的正向電阻相對(duì)較低，其他四種方法具有高電阻值，從幾百歐元到無窮大。然而，無論是低電阻還是高電阻，硅三極管的電極間電阻都遠(yuǎn)大于鍺三極管。

　　(b)、晶體管穿透電流ICEO的值近似等于晶體管的乘法器β和集電極結(jié)的反向電流ICBO的乘積。隨著環(huán)境溫度的升高，ICBO迅速增加。ICBO的增加必然導(dǎo)致ICEO的增加。ICEO的增加將直接影響管道的穩(wěn)定性，因此應(yīng)盡量選用小型ICEO管。

　　用萬用表電阻直接測量三極E-C電極之間的電阻，可以間接地估計(jì)ICEO的尺寸。具體方法如下：

　　萬用表電阻的范圍一般越大，所需的電阻越大越好。E和c之間的電阻越大，管的ICEO越??；否則，測量的電阻越小，被測試管的ICEO越大。一般來說，中、低功率硅管和鍺低頻管的電阻值應(yīng)分別大于幾百歐元、幾萬歐元和數(shù)萬歐元。如果電阻值很小或萬用表指針在測試期間來回?cái)[動(dòng)，則表明ICEO非常大，并且管的性能不穩(wěn)定。

　　(c)、測量放大倍數(shù)（β）。目前，一些類型的萬用表具有測量晶體管hFE的校準(zhǔn)線和測試插座，可以方便地測量晶體管的放大率。首先，將萬用表功能開關(guān)移到齒輪上，將范圍開關(guān)移到ADJ位置，紅色和黑色儀表筆短接，并且調(diào)整調(diào)零旋鈕以使萬用表的指針指示零，然后將范圍開關(guān)移到hFE po。定位時(shí)，兩支短表筆分開，待測三極管插入測試插座，管子可以從hFE校準(zhǔn)線讀出。放大倍數(shù)。

　　B、檢測判別電極

(a)、確定基地。當(dāng)?shù)谝还P連接到電極時(shí)，用三極管R 100或R 65測量晶體三極管的每一個(gè)電極之間的前后電阻值，第二筆依次接觸其他兩個(gè)電極，以測量低電阻，第一支筆與底座B的電極連接。此時(shí)，注意萬用筆的極性，如果紅筆與基座B相連。如果黑筆與基座B相連，紅筆與其他兩極相連，則測得的電阻是SM。所有，那么三極管是NPN。

(b)、確定了捕收劑C和發(fā)射極E。(以PNP為例)當(dāng)萬用表放在R*100或R*1k齒輪上時(shí)，紅筆的底部是b，其他兩個(gè)針用黑筆接觸，測量的兩個(gè)電阻值將越來越小。在一個(gè)低電阻的測量中，黑表筆的管腳是收集器；在一個(gè)高電阻的測量中，黑表筆的管腳是發(fā)射器。

　　C、高頻管與低頻管的區(qū)別

　　高頻晶體管的截止頻率大于3MHz，而低頻晶體管的截止頻率小于3MHz。一般來說，這兩個(gè)是不可互換的。

　　D、道路電壓檢測與判斷方法

　　在實(shí)際應(yīng)用中，低功率晶體管大多直接焊接到印刷電路板上。由于元件安裝密度高，拆卸難度大，因此常用萬用表直流電壓屏障來測量被測晶體管引腳的電壓值，判斷晶體管是否工作正常，進(jìn)而判斷其是否良好?；蛘呤菈牡摹?/span>

　　2、大功率晶體三極管的檢測

用萬用表檢測中小功率晶體管的極性、管形和性能的各種方法基本適用于大功率晶體管的檢測。然而，由于大功率三極管的工作電流較大，大功率三極管的pn結(jié)面積較大。PN結(jié)越大，反向飽和電流也越大。因此，如果用萬用表的R*1k塊來測量中小功率晶體管電極之間的電阻，電阻值必須非常小，就像電極之間的短路一樣，所以我們通常用R*10或R*1塊來測量大功率晶體管。伊斯特

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