半導(dǎo)體二極管主要是依托PN結(jié)而作業(yè)的。與PN結(jié)不可分割的點(diǎn)觸摸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包含這兩種類型在內(nèi)，依據(jù)PN結(jié)結(jié)構(gòu)面的特色，把晶體二極管分類如下：
　　點(diǎn)觸摸型
　　點(diǎn)觸摸型二極管是在鍺或硅資料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再經(jīng)過(guò)電流法而構(gòu)成的。因而，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路?？墒?，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)觸摸型二極管正向特性和反向特性都差，因而，不能運(yùn)用于大電流和整流。因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所以價(jià)格便宜。
　　面觸摸型
　　面觸摸型或稱面積型二極管的PN結(jié)是用合金法或分散法做成的，因?yàn)檫@種二極管的PN結(jié)面積大，可接受較大電流，但極間電容也大。這類器材適用于整流，而不宜用于高頻率電路中。
　　鍵型
　　鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔金或銀的細(xì)絲而構(gòu)成的。其特性介于點(diǎn)觸摸型二極管和合金型二極管之間。與點(diǎn)觸摸型相比較，盡管鍵型二極管的PN結(jié)電容量稍有添加，但正向特性特別優(yōu)秀。多作開(kāi)關(guān)用，有時(shí)也被應(yīng)用于檢波和電源整流（不大于50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時(shí)被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時(shí)被稱為銀鍵型。
　　合金型
　　在N型鍺或硅的單晶片上，經(jīng)過(guò)參加合金銦、鋁等金屬的辦法制造PN結(jié)而構(gòu)成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時(shí)靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。
　　分散型
　　在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片外表的一部變成P型，以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。Z 近，運(yùn)用大電流整流器的干流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅分散型。
　　臺(tái)面型
　　PN結(jié)的制造辦法盡管與分散型相同，可是，只保存PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩下的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型，是對(duì)半導(dǎo)體資料運(yùn)用分散法而制成的。因而，又把這種臺(tái)面型稱為分散臺(tái)面型。關(guān)于這一類型來(lái)說(shuō)，好像大電流整流用的產(chǎn)品類型很少，而小電流開(kāi)關(guān)用的產(chǎn)品類型卻許多。
　　平面型
　　在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，分散P型雜質(zhì)，運(yùn)用硅片外表氧化膜的屏蔽效果，在N型硅單晶片上僅選擇性地分散一部分而構(gòu)成的PN結(jié)。因而，不需求為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕效果。因?yàn)榘雽?dǎo)體外表被制造得平坦，故而得名。而且，PN結(jié)合的外表，因被氧化膜掩蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。開(kāi)始，關(guān)于被運(yùn)用的半導(dǎo)體資料是選用外延法構(gòu)成的，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，好像運(yùn)用于大電流整流用的類型很少，而作小電流開(kāi)關(guān)用的類型則許多。
　　合金分散型
　　它是合金型的一種。合金資料是簡(jiǎn)單被分散的資料。把難以制造的資料經(jīng)過(guò)奇妙地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合金一同過(guò)分散，以便在現(xiàn)已構(gòu)成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛壬⒉?。此法適用于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
　　外延型
　　用外延面長(zhǎng)的進(jìn)程制造PN結(jié)而構(gòu)成的二極管。制造時(shí)需求十分高明的技能。因能隨意地操控雜質(zhì)的不同濃度的散布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。
　　肖特基
　　基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的觸摸面上，用已構(gòu)成的肖特基來(lái)阻撓反向電壓。肖特基與PN結(jié)的整流效果原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其專長(zhǎng)是：開(kāi)關(guān)速度十分快：反向恢復(fù)時(shí)間trr特別地短。因而，能制造開(kāi)關(guān)二極管和低壓大電流整流二極管。