開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率改換和輸出整流濾波電路。包含開(kāi)關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開(kāi)關(guān)脈沖的上升沿和下降沿。即開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通和截止，一般導(dǎo)通時(shí)尖峰更大一些。

　　前沿尖峰的一些按捺辦法

　　1、選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管，或采用在整流管前串聯(lián)電感的辦法比較有用，或在開(kāi)關(guān)管整流管的磁珠。磁芯資料選用對(duì)高頻振動(dòng)呈高阻抗衰減特性的鐵氧體資料，等。

　　2、在二次側(cè)接入RC吸收回路可進(jìn)一步減小前沿尖峰的幅值，下降二極管恢復(fù)過(guò)程中的振動(dòng)頻率。

　　3、多個(gè)整流二極管并聯(lián);恰當(dāng)增大整流二極管的電流容量，可相對(duì)減小反向恢復(fù)時(shí)的關(guān)斷時(shí)刻，限制反向短路電流的數(shù)值，可按捺電流尖峰和下降導(dǎo)通損耗。

　　4、盡量使元件布局走線合理 ，減小大電流回路的面積，對(duì)EMI的按捺也比較有用。

　　后沿尖峰的按捺辦法

　　5、選用開(kāi)關(guān)速度快的整流二極管。

　　6、選用高導(dǎo)磁率的磁芯，變壓器設(shè)計(jì)時(shí)激磁電流盡可能小。

　　7、選用高磁通密度的資料，確保在惡劣環(huán)境下變壓器不會(huì)飽滿。可取B值為飽滿值的一半或1/3。

　　8、選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。

　　9、高頻變壓器繞制盡量減小漏感。采用夾心繞法或三文治繞法。繞線盡量均勻分布在骨架上。選用漆包線時(shí)要考慮到趨膚效應(yīng)。

　　10、在開(kāi)關(guān)管的D-S之間并聯(lián)RC吸收回路。