mos電機驅動

mos電機驅動電路首先，單片機能夠輸出直流信號，可是它的驅動才能也是有限的，所以單片機普通做驅動信號，驅動大的功率管如Mos管，來發(fā)作大電流然后驅動電機，且占空比巨細能夠經(jīng)過驅動芯片操控加在電機上的均勻電壓到達轉速調理的意圖。電機驅動首要選用N溝道MOSFET構建H橋驅動電路，H 橋是一個典型的直流電機操控電路，因為它的電路外形酷似字母 H，故得名曰“H 橋”。4個開關組成H的4條垂直腿，而電機就是H中的橫杠。要使電機作業(yè)，必需使對角線上的一對開關導通，經(jīng)過不同的電流方向來操控電機正回轉，

（二）H橋驅動原理

別的，因為驅動電路或許會發(fā)作較大的回灌電流，為避免對單片機發(fā)作影響，Z好用阻隔芯片阻隔，阻隔芯片選取有很多方式，如2801等，這些芯片常做操控總線驅動器，效果是前進驅動才能，滿意一定條件后，輸出與輸入相同，可中止數(shù)據(jù)單向傳輸，即單片機信號能夠到驅動芯片，反過來不行。

mos電機驅動電路規(guī)劃

（一）選用集成電機驅動芯片

下面，側重介紹咱們在平常規(guī)劃驅動電路時Z常用的驅動電路。半橋驅動芯片 BTS7960 搭成全橋驅動。其驅動電流約 43A，而其晉級產(chǎn)品 BTS7970 驅動電流能夠達到 70 幾安培！并且也有其可替代產(chǎn)品 BTN7970，它的驅動電流Z大也能達七十幾安！

每片芯片的內(nèi)部有兩個 MOS 管，當 IN 輸入高電平常上邊的 MOS 管導通，常稱為高邊 MOS 管，當 IN 輸入低電平常，下邊的 MOS 管導通，常稱為低邊 MOS管；當 INH 為高電平常使能整個芯片，芯片作業(yè)；當 INH 為低電平常，芯片不作業(yè)。

INH一般運用時,咱們直接接高電平，使整個電路一直處于作業(yè)狀況。

下面就是怎么樣用該電路使得電機正回轉？假設當PWM1端輸入PWM波，PWM2端置0,電機正轉；那么當 PWM1端為0,PWM2端輸入PWM 波時電機將回轉！運用此辦法需要兩路PWM信號來操控一個電機！其實能夠只用一路 PWM 接 PWM1 端，別的 PWM2 端能夠接在 IO 端口上，用于操控方向！假設 PWM2=0，PWM1 輸入信號時電機正轉；那么當 PWM2=1是，PWM1 輸入信號電機回轉（有必要注意：此刻PWM信號輸入的是其對應的負占空比）！

以上的電路，關于普通功率的底盤，其驅動電流已經(jīng)能夠滿意，可是關于更大功率的底盤，或許有點費勁。尤其是當咱們加的底盤在不斷的加減速時，這就需要電機不斷的正回轉，此刻的電流很大，還用以上的驅動電路，芯片會很燙??！這個時分就需要咱們自己用 MOSFET 和柵極驅動芯片自己規(guī)劃 H 橋！

（二）大功率 MOS 管組成電機驅動電路

電動機操控器中MOS的效果

通狀況損耗（不同mos這個距離或許很大），尤其是pwm沒完全打開，處于脈寬調制狀況時（對應電動車的起步加快狀況），而Z高急速狀況往往是導通損耗為主。

Mos損壞首要原因：過流，大電流引起的高溫損壞（分繼續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導致結溫超越承受值）；過壓，源漏級大于擊穿電壓而擊穿；柵極擊穿，一般因為柵極電壓受外界或驅動電路損壞超越答應Z高電壓（柵極電壓一般需低于20v安全）以及靜電損壞。