咱們?nèi)粘Ｈ兆舆\(yùn)用的現(xiàn)代電子設(shè)備中，從手機(jī)、電腦到平板顯示器，場效應(yīng)晶體管無處不在。除了三個(gè)電極（柵極（gate），源極（source）和漏極 （drain））外，場效應(yīng)管還包含一個(gè)絕緣層和一個(gè)半導(dǎo)體溝道層組成。場效應(yīng)管內(nèi)的絕緣層能有效操控半導(dǎo)體溝道的導(dǎo)電率，然后操控晶體管內(nèi)的電流。為了 使場效應(yīng)管低功率穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)，運(yùn)用超薄的絕緣層非常重要。因?yàn)檠趸锖偷锏葻o機(jī)資料具有杰出的絕緣性和可靠性，絕緣層通常是由此類無機(jī)資料在硅和玻璃等 硬質(zhì)表面制成。 但是，因?yàn)檫@些絕緣層的高硬度和高制備進(jìn)程溫度，它們很難用于柔性電子設(shè)備。

一個(gè)由韓國科學(xué)技能院（KAIST）生化工程系的Sung Gap教授和電子工程系的Seunghyup Yoo、Byung Jin Cho教授領(lǐng)導(dǎo)的研討團(tuán)隊(duì)研制出了一種有機(jī)聚合物組成的絕緣層“pV3D3”。此絕緣層是利用名為“化學(xué)氣相沉降（iCVD）”的全干氣相技能制成，可使 它在不失去完美絕緣特性的情況下，厚度足以縮小到10納米（nm）之內(nèi)。 iCVD進(jìn)程是讓氣狀單體和引發(fā)劑在低真空中相互觸摸，Z終沉積在基底上的共形聚合膜具有良好的絕緣功能。iCVD與傳統(tǒng)技能不一樣的是，非常均勻且純凈 的超薄聚合膜在一大片實(shí)際上沒有表層或底層限制的區(qū)域生成，與表面張力有關(guān)的問題便得以處理。而且大部分iCVD聚合物在室溫下生成，減少了對基底施加的 張力和產(chǎn)生的損害。 科研團(tuán)隊(duì)通過運(yùn)用pV3D3絕緣層，研制出了利用多種半導(dǎo)體資料如有機(jī)物、石墨烯和氧化物的低功率、高功能的場效應(yīng)管，證明了pV3D3對多種資料的廣泛 適用性。他們還用慣例的包裝膠帶作為基底，制造出了一種粘貼性的、可移除的電子元件

在與韓國東國大學(xué)（Dongguk University）的Yong-Young Noh教授的合作中，科研團(tuán)隊(duì)成功地結(jié)合pV3D3絕緣層在一個(gè)大規(guī)模的柔性底層上開發(fā)出了一種晶體管陣列。 Im教授說：“用iCVD技能制得的pV3D3所具有的小尺度和廣泛適用性對聚合絕緣體來說是前所未有的。即使咱們的iCVD pV3D3聚合膜的厚度減小到10納米之內(nèi)，它展現(xiàn)出的絕緣性仍比得上無機(jī)絕緣層。咱們等待這項(xiàng)進(jìn)展能極大地有益于柔性電子器件的研制，這將會對可穿戴計(jì) 算機(jī)等新式電子設(shè)備的成功起到關(guān)鍵作用?！?總結(jié)：研討人員研制了一種用于場效應(yīng)晶體管（field-effect transistors，F(xiàn)ETs）的高功能超薄聚合絕緣體。他們用汽化單體在多種表面成功制備出聚合膜，比方塑料，這些普適的絕緣體為將來在電子設(shè)備上的運(yùn)用打下了根底。